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雙極性晶體管

二極管

ESD保護、TVS、濾波和信號調節(jié)ESD保護

MOSFET

氮化鎵場效應晶體管(GaN FET)

絕緣柵雙極晶體管(IGBTs)

模擬和邏輯IC

汽車應用認證產品(AEC-Q100/Q101)

CBT3245APW-Q100

Octal bus switch

The CBT3245A-Q100 is an 8-pole, single-throw bus switch. The device features a single output enable input (OE) that controls eight switch channels. The switches are disabled when (OE) is HIGH. This device is fully specified for partial power down applications using IOFF.

This product has been qualified to the Automotive Electronics Council (AEC) standard Q100 (Grade 3) and is suitable for use in automotive applications.

此產品已停產

Features and benefits

  • Automotive product qualification in accordance with AEC-Q100 (Grade 3)

    • Specified from -40 °C to +85 °C

  • 5 ? switch connection between two ports

  • Direct interface with TTL levels

  • Overvoltage tolerant control inputs to 5.5 V

  • IOFF circuitry provides partial Power-down mode operation

  • Latch-up performance exceeds 500 mA per JESD 78 Class II Level B

  • ESD protection:

    • MIL-STD-883, method 3015 exceeds 2000 V

    • HBM JESD22-A114F exceeds 2000 V

    • MM JESD22-A115B exceeds 150 V (C = 200 pF, R = 0 ?)

  • DHVQFN package with Side-Wettable Flanks enabling Automatic Optical Inspection (AOI) of solder joints

封裝

下表中的所有產品型號均已停產 。

型號 可訂購的器件編號,(訂購碼(12NC)) 狀態(tài) 標示 封裝 外形圖 回流焊/波峰焊 包裝
CBT3245APW-Q100 CBT3245APW-Q100J
(935300474118)
Obsolete no package information

環(huán)境信息

下表中的所有產品型號均已停產 。

型號 可訂購的器件編號 化學成分 RoHS RHF指示符
CBT3245APW-Q100 CBT3245APW-Q100J CBT3245APW-Q100 rohs rhf rhf
品質及可靠性免責聲明

文檔 (3)

文件名稱 標題 類型 日期
CBT3245A_Q100 Octal bus switch Data sheet 2022-03-21
AN90010 Pin FMEA for CBT(D) family Application note 2019-10-28
cbt3245a CBT3245A IBIS model IBIS model 2019-01-09

支持

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模型

文件名稱 標題 類型 日期
cbt3245a CBT3245A IBIS model IBIS model 2019-01-09

How does it work?

The interactive datasheets are based on the Nexperia MOSFET precision electrothermal models. With our interactive datasheets you can simply specify your own conditions interactively. Start by changing the values of the conditions. You can do this by using the sliders in the condition fields. By dragging the sliders you will see how the MOSFET will perform at the new conditions set.

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