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雙極性晶體管

二極管

ESD保護(hù)、TVS、濾波和信號調(diào)節(jié)ESD保護(hù)

MOSFET

氮化鎵場效應(yīng)晶體管(GaN FET)

絕緣柵雙極晶體管(IGBTs)

模擬和邏輯IC

汽車應(yīng)用認(rèn)證產(chǎn)品(AEC-Q100/Q101)

74LVC1G66GM-Q100

此產(chǎn)品已停產(chǎn)

參數(shù)類型

型號 Package name
74LVC1G66GM-Q100 XSON6

封裝

下表中的所有產(chǎn)品型號均已停產(chǎn) 。

型號 可訂購的器件編號,(訂購碼(12NC)) 狀態(tài) 標(biāo)示 封裝 外形圖 回流焊/波峰焊 包裝
74LVC1G66GM-Q100 74LVC1G66GM-Q100,1
(935299066125)
Obsolete VL SOT886
XSON6
(SOT886)
SOT886 REFLOW_BG-BD-1
SOT886_125

環(huán)境信息

下表中的所有產(chǎn)品型號均已停產(chǎn) 。

型號 可訂購的器件編號 化學(xué)成分 RoHS RHF指示符
74LVC1G66GM-Q100 74LVC1G66GM-Q100,1 74LVC1G66GM-Q100 rohs rhf rhf
品質(zhì)及可靠性免責(zé)聲明

文檔 (9)

文件名稱 標(biāo)題 類型 日期
Nexperia_document_guide_MiniLogic_MicroPak_201808 MicroPak leadless logic portfolio guide Brochure 2018-09-03
SOT886 3D model for products with SOT886 package Design support 2019-10-03
lvc1g66 74LVC1G66 IBIS model IBIS model 2015-02-19
Nexperia_package_poster Nexperia package poster Leaflet 2020-05-15
DFN1410-6_SOT886_mk plastic, extremely thin small outline package; no leads; 6 terminals; 0.6 mm pitch; 1 mm x 1.45 mm x 0.5 mm body Marcom graphics 2017-01-28
XSON6_SOT886_mk plastic, extremely thin small outline package; no leads; 6 terminals; 0.6 mm pitch; 1 mm x 1.45 mm x 0.5 mm body Marcom graphics 2017-01-28
SOT886 plastic, leadless extremely thin small outline package; 6 terminals; 0.5 mm pitch; 1 mm x 1.45 mm x 0.5 mm body Package information 2022-06-01
REFLOW_BG-BD-1 Reflow soldering profile Reflow soldering 2021-04-06
MAR_SOT886 MAR_SOT886 Topmark Top marking 2013-06-03

支持

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模型

文件名稱 標(biāo)題 類型 日期
lvc1g66 74LVC1G66 IBIS model IBIS model 2015-02-19
SOT886 3D model for products with SOT886 package Design support 2019-10-03

How does it work?

The interactive datasheets are based on the Nexperia MOSFET precision electrothermal models. With our interactive datasheets you can simply specify your own conditions interactively. Start by changing the values of the conditions. You can do this by using the sliders in the condition fields. By dragging the sliders you will see how the MOSFET will perform at the new conditions set.

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