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雙極性晶體管

二極管

ESD保護(hù)、TVS、濾波和信號(hào)調(diào)節(jié)ESD保護(hù)

MOSFET

氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GaN FET)

絕緣柵雙極晶體管(IGBTs)

模擬和邏輯IC

汽車(chē)應(yīng)用認(rèn)證產(chǎn)品(AEC-Q100/Q101)

RET 500 mA 單/雙

RET晶體管可降低處理和開(kāi)發(fā)成本，同時(shí)最大程度縮小空間

Nexperia面向標(biāo)準(zhǔn)小信號(hào)數(shù)字應(yīng)用提供豐富的單雙RET產(chǎn)品組合。

主要特性和優(yōu)勢(shì)

  • 一個(gè)晶體管和兩個(gè)電阻集成在一個(gè)封裝中
  • 降低處理和庫(kù)存成本
  • 廣泛的100 mA產(chǎn)品范圍
  • 減少電路板空間
  • 500 mA產(chǎn)品組合
  • 縮短裝配時(shí)間
  • 采用SOT363/457封裝的完整雙RET系列
  • 簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)流程
  • 符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)
  • 減少焊點(diǎn)，提升系統(tǒng)可靠性

關(guān)鍵應(yīng)用

  • 數(shù)字應(yīng)用
  • 儀表盤(pán)
  • 發(fā)動(dòng)機(jī)控制單元

參數(shù)搜索

RETs 500 mA single/double
數(shù)據(jù)加載中，請(qǐng)稍候...
參數(shù)搜索不可用。

產(chǎn)品

型號(hào) 描述 狀態(tài) 快速訪問(wèn)
PDTB1xxxU series 500 mA, 50 V PNP resistor-equipped transistors ACT
PDTB113EU 50 V, 500 mA PNP resistor-equipped transistor Production
PDTB123EU 50 V, 500 mA PNP resistor-equipped transistor Production
PDTB123YU 50 V, 500 mA PNP resistor-equipped transistor Production
PDTB143EU 50 V, 500 mA PNP resistor-equipped transistor Production
PDTB143XU 50 V, 500 mA PNP resistor-equipped transistor Production
PDTD1xxxT series 500 mA, 50 V NPN resistor-equipped transistors ACT
PDTD114ET 50 V, 500 mA NPN resistor-equipped transistor; R1?=?10?kΩ,?R2?=?10?kΩ Production
PDTD143ET-Q 500 mA, 50 V NPN resistor-equipped transistor; R1?=?4.7?kΩ,?R2?=?4.7?kΩ Production
PDTD143XT 50 V, 500 mA NPN resistor-equipped transistor; R1?=?4.7?kΩ,?R2?=?10?kΩ Production
PDTD1xxxU series 500 mA, 50 V NPN resistor-equipped transistors ACT
PDTD113EU 50 V, 500 mA NPN resistor-equipped transistor Production
PDTD113ZU 50 V, 500 mA NPN resistor-equipped transistor Production
PDTD114EU-Q 50 V, 500 mA NPN resistor-equipped transistor Production
PDTD123EU 50 V, 500 mA NPN resistor-equipped transistor Production
PDTD123YU 50 V, 500 mA NPN resistor-equipped transistor Production
PDTD143EU 50 V, 500 mA NPN resistor-equipped transistor Production
PDTD143XU 50 V, 500 mA NPN resistor-equipped transistor Production
PDTB113EQA 50 V, 500 mA PNP resistor-equipped transistors Production
PDTB113ZQA 50 V, 500 mA PNP resistor-equipped transistors Production
PDTB114EQA 50 V, 500 mA PNP resistor-equipped transistors Production
PDTB114ET 50 V, 500 mA PNP resistor-equipped transistor Production
PDTB114EU-Q 50 V, 500 mA PNP resistor-equipped transistor Production
PDTB123EQA 50 V, 500 mA PNP resistor-equipped transistors Production
PDTB123YQA 50 V, 500 mA PNP resistor-equipped transistors Production
PDTB143EQA 50 V, 500 mA PNP resistor-equipped transistors Production
PDTB143ET-Q 50 V, 500 mA PNP resistor-equipped transistor Production
PDTB143XQA 50 V, 500 mA PNP resistor-equipped transistors Production
PDTB143XT 50 V, 500 mA PNP resistor-equipped transistor Production
PDTD113ZT-Q NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistor; R1?=?1?kΩ,?R2?=?10?kΩ Production
PDTD123ET NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kOhm, R2 = 2.2 kOhm Production
PDTD123ET-Q 50 V, 500 mA NPN resistor-equipped transistor; R1 = 2.2 kΩ, R2 = 2.2 kΩ Production
PDTD123TT NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kOhm, R2 = open Production
PDTD123YK NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kOhm, R2 = 10 kOhm EndOfLife
PDTD123YT-Q 50 V, 500 mA NPN resistor-equipped transistor; R1?=?2.2?kΩ,?R2?=?10?kΩ Production
PIMC31-Q 500 mA, 50 V NPN/PNP double resistor-equipped transistor; R1 = 1 k?, R2 = 10 k? Production
PIMC31PAS-Q 50 V, 500 mA NPN/PNP Resistor-Equipped double Transistor; R1?= 1?kΩ,?R2?=?10 kΩ Production
PIMC32-Q 50 V, 500 mA NPN/PNP Resistor-Equipped double Transistor (RET); R1?=?2.2?kΩ,?R2?=?10?kΩ Production
PIMC32PAS-Q 50 V, 500 mA NPN/PNP Resistor-Equipped double Transistor; R1?= 2.2?kΩ,?R2?=?10 kΩ Production
PIMN31 500 mA, 50 V NPN/NPN double resistor-equipped transistor; R1 = 1 kOhm, R2 = 10 kOhm Production
PIMN31PAS-Q 50 V, 500 mA NPN/NPN Resistor-Equipped double Transistor; R1?= 1?kΩ,?R2?=?10 kΩ Production
PIMN32-Q 50 V, 500 mA NPN/NPN Resistor-Equipped double Transistor (RET); R1?=?2.2?kΩ,?R2?=?10?kΩ Production
PIMN32PAS-Q 50 V, 500 mA NPN/NPN Resistor-Equipped double Transistor; R1?= 2.2?kΩ,?R2?=?10 kΩ Production
PIMP31-Q 50 V, 500 mA PNP/PNP Resistor-Equipped double Transistor (RET); R1?=?1?kΩ,?R2?=?10?kΩ Production
PIMP31PAS-Q 50 V, 500 mA PNP/PNP Resistor-Equipped double Transistor; R1?= 1?kΩ,?R2?=?10 kΩ Production
PIMP32-Q 50 V, 500 mA PNP/PNP Resistor-Equipped double Transistor (RET); R1?=?2.2?kΩ,?R2?=?10?kΩ Production
PIMP32PAS-Q 50 V, 500 mA PNP/PNP Resistor-Equipped double Transistor; R1?= 2.2?kΩ,?R2?=?10 kΩ Production
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Marcom graphics (1)
文件名稱(chēng) 標(biāo)題 類(lèi)型 日期
SOT23_mk.png plastic, surface-mounted package; 3 terminals; 1.9 mm pitch; 2.9 mm x 1.3 mm x 1 mm body Marcom graphics 2017-01-28

Selection guide (1)
文件名稱(chēng) 標(biāo)題 類(lèi)型 日期
Nexperia_Selection_guide_2023.pdf Nexperia Selection Guide 2023 Selection guide 2023-05-10

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