半導(dǎo)體基礎(chǔ)元器件生產(chǎn)領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia推出了一系列反向電壓為120 V、150 V和200 V的新鍺化硅(SiGe)整流器，兼具肖特基整流器的高效率與快速恢復(fù)二極管的熱穩(wěn)定性。

新款1-3 A SiGe整流器以汽車(chē)、通信基礎(chǔ)設(shè)施和服務(wù)器市場(chǎng)為目標(biāo)市場(chǎng)，尤其適合高溫應(yīng)用，例如，LED照明、發(fā)動(dòng)機(jī)控制單元或燃油噴射。這些新推出的極低泄漏器件提供擴(kuò)展的安全工作區(qū)域，在不超過(guò)175 °C的條件下不會(huì)發(fā)生熱失控。同時(shí)，工程師也可以使用適用于高溫設(shè)計(jì)的快速恢復(fù)二極管，優(yōu)化設(shè)計(jì)以實(shí)現(xiàn)更高效率。SiGe整流器增大低正向電壓(V_f)和低Qrr，使傳導(dǎo)損耗降低10-20%。

PMEG SiGe設(shè)備(PMEGxGxELR/P)采用功率二極管行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的節(jié)省空間、高熱效率的CFP3和CFP5封裝。封裝采用實(shí)心銅夾片，降低熱阻，優(yōu)化熱傳輸至周?chē)h(huán)境，使PCB更小、更緊湊。此外，使用SiGe技術(shù)，能夠輕松實(shí)現(xiàn)肖特基和快速恢復(fù)二極管的引腳到引腳替換。

Nexperia產(chǎn)品經(jīng)理Jan Fischer評(píng)論道：“使用Nexperia的創(chuàng)新型鍺化硅技術(shù)，讓工程師有更多選擇來(lái)設(shè)計(jì)電源電路，最終構(gòu)建引領(lǐng)市場(chǎng)的產(chǎn)品，這是之前從未有過(guò)的。SiGe是Nexperia功率二極管產(chǎn)品的完美補(bǔ)充，該產(chǎn)品采用夾片粘合FlatPower (CFP)封裝，包括100多個(gè)肖特基整流器和快速恢復(fù)整流器。此外，我們還將繼續(xù)擴(kuò)展產(chǎn)品組合，始終為客戶提供符合其應(yīng)用的產(chǎn)品。”

第一批4款符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的120V SiGe整流器目前已進(jìn)入量產(chǎn)階段。更有8款150V和200V的產(chǎn)品現(xiàn)可提供樣片。如需了解SiGe整流器的更多信息（包括產(chǎn)品規(guī)格和數(shù)據(jù)手冊(cè)），請(qǐng)?jiān)L問(wèn)www.bdxyd.com/sige-rectifiers，或直接接洽您的Nexperia聯(lián)系人。

關(guān)于Nexperia

Nexperia，作為半導(dǎo)體基礎(chǔ)元器件生產(chǎn)領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家，其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于全球各類電子設(shè)計(jì)。公司豐富的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極性晶體管、ESD保護(hù)器件、MOSFET器件、氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GaN FET)以及模擬IC和邏輯IC。Nexperia總部位于荷蘭奈梅亨，每年可交付900多億件產(chǎn)品，產(chǎn)品符合汽車(chē)行業(yè)的嚴(yán)苛標(biāo)準(zhǔn)。其產(chǎn)品在效率（如工藝、尺寸、功率及性能）方面獲得行業(yè)廣泛認(rèn)可，擁有先進(jìn)的小尺寸封裝技術(shù)，可有效節(jié)省功耗及空間。

憑借幾十年來(lái)的專業(yè)經(jīng)驗(yàn)，Nexperia持續(xù)不斷地為全球各地的優(yōu)質(zhì)企業(yè)提供高效的產(chǎn)品及服務(wù)，并在亞洲、歐洲和美國(guó)擁有超過(guò)12,000名員工。Nexperia是聞泰科技股份有限公司(600745.SS)的子公司，擁有龐大的知識(shí)產(chǎn)權(quán)組合，并獲得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和OHSAS 18001認(rèn)證。

Nexperia：效率致勝。

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